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韩国企业KC Tech突破半导体材料自主化_蜘蛛资讯网

随着AI与高性能芯片普及，线路宽度已缩至5微米以下，传统数微米级二氧化硅（SiO₂）填料导致表面粗糙度上升，引发电子迁移阻力增大、信号损耗及曝光精度下降等问题。          KC Tech提出“填料微细化+CMP工艺优化”方案，目标将表面粗糙度与碟形坑（Dishing）控制在0.5微米以下。目前已掌握核心CMP技

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bsp;  据THE ELEC 5月7日报道，KC Tech依托化学机械抛光（CMP）技术，推进半导体积层薄膜（BuF）自主化，以应对先进封装微细化工艺挑战。据5月7日行业消息，该公司正承担韩国产业通商资源部国家课题“大尺寸积层薄膜与超微图案工艺开发”，重点研发下一代BuF用CMP平坦化工艺。         

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发布时间：13:00:12